Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
X34NSE Nové směry v elektronice Rozsah výuky:2+2
Přednášející (garant):Schröfel J. Typ předmětu:F Zakončení:Z
Zodpovědná katedra:334 Kreditů:4 Semestr:L

Anotace:
Směry vývoje polovodičových technologií. Prostředky CAD pro návrh integrovaných obvodů. Příprava a vlastnosti supravodivých struktur. Mikrosystémy - principy, technologie, návrh. Biochemické a chemické senzory - principy a využití. Mikroaktuátory - základní principy, způsoby řešení. Heteropřechody - principy, technologie, diagnostika, aplikace. Návrh a využití kvantově-rozměrných heterostruktur. Optelektronické struktury - nové technologie, integrace s elektronickými strukturami.

Osnovy přednášek:
1. Hlavní směry vývoje polovodičových technologií.
2. Prostředky CAD pro návrh integrovaných obvodů.
3. Metody vytváření horizontálních struktur součástek.
4. Příprava a vlastnosti supravodivých struktur.
5. Mikrosystémy - základní principy.
6. Mikrosystémy - technologie, modelování, zpracování signálu.
7. Biochemické a chemické senzory.
8. Mikroaktuátory.
9. Heteropřechody a heterostruktury.
10. Technologie přípravy heterostruktur.
11. Diagnostika a zpracování heterostruktur na součástky.
12. Využití kvantově-rozměrných heterostruktur pro součástky.
13. Nové technologie pro optoelektroniku.
14. Možnosti integrace elektronických a optoelektronických struktur.

Osnovy cvičení:
1. Nové směry v elektronice a laboratorní praxe.
2. Práce s odbornou literaturou - zadání referátů.
3. Práce s odbornou literaturou - zadání referátů.
4. Prohlubování vědomostí v oblasti nových polovodičových technologií.
5. Práce na referátech - konzultace.
6. Prohlubování vědomostí v oblasti mikrosystémů.
7. Práce na referátech - konzultace.
8. Prohlubování vědomostí v oblasti heteropřechodů a heterostruktur.
9. Práce na referátech - konzultace.
10. Prohlubování vědomostí v oblasti nových technologií pro optoelektroniku.
11. Práce na referátech - konzultace.
12. Prezentace referátů.
13. Prezentace referátů.
14. Prezentace referátů, zápočty.

Literatura Č:
1. J. Voves, J. Kodeš: Elektronické součástky nové generace. Grada, Praha, 1995
2. Massood Tabib-Azar: Microactuators. Kluwer Acad. Pub., Boston, London,1998
3. H.P. Zappe: Introduction to Semiconductor Integrated Optics. Artech House, London, 1995

Literatura A:
1. Juin J. Liou: Advanced Semiconductor Device Physics and Modeling. Artech House, London,1994,
2. Massood Tabib-Azar: Microactuators. Kluwer Acad. Publ., Boston, London, 1998

Požadavky:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 12+4
Typ cvičení: s, t

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
MBI Biomedicínské inženýrství F 4
MEK01 Ekonomika a řízení elektrotechniky a energetiky F 4
MEL01 Elektronika F 4
MKM01 Kybernetika a měření F 4
MSE01 Silnoproudá elektrotechnika F 4
MVT05 Výpočetní technika F 4
MVT04 Výpočetní technika F 4
MVT03 Výpočetní technika F 4
MTR05 Telekomunikace a radiotechnika F 4
MTR04 Telekomunikace a radiotechnika F 4
MVT02 Výpočetní technika F 4
MTR03 Telekomunikace a radiotechnika F 4
MSE04 Silnoproudá elektrotechnika F 4
MTR02 Telekomunikace a radiotechnika F 4
MSE03 Silnoproudá elektrotechnika F 4
MSE02 Silnoproudá elektrotechnika F 4
MKM04 Kybernetika a měření F 4
MKM03 Kybernetika a měření F 4
MEL03 Elektronika F 4
MKM02 Kybernetika a měření F 4
MEL02 Elektronika F 4
MEK02 Ekonomika a řízení elektrotechniky a energetiky F 4
MTR01 Telekomunikace a radiotechnika F 4
MVT01 Výpočetní technika F 4


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)