Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
X13KVE Komponenty výkonové elektrotechniky Rozsah výuky:2+2
Přednášející (garant):Benda V. Typ předmětu:Z Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:313 Kreditů:5 Semestr:L

Anotace:
Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče. Kabely silové a sdělovací - vlastnosti, konstrukce, výrobní a aplikační technologie. Kabely s optickými vlákny. Kabelové soubory.

Osnovy přednášek:
1. Úvod do problematiky. Výkonové diody.
2. Proudem řízené součástky (výkonové tranzistory, tyristory)
3. Moderní součástky tyristorového typu (GTO, IGCT, LTT)
4. Napěťově řízené součástky (MOSFET, IGBT)
5. Výkonové integrované obvody a moduly (PIC, IPM)
6. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek
7. Podmínky spolehlivého provozu ve výkonových měničích
8. Konstrukce nízkonapěťových a vysokonapěťových silových kabelů
9. Vodivá jádra a izolace kabelů, materiál a provedení
10. Hlavní technologické operace při výrobě kabelů
11. Vlastnosti silových kabelů a jejich měření
12. Konstrukce nízkofrekvenčních a vysokofrekvenčních sdělovacích kabelů
13. Kabely s optickými vlákny
14. Kabelové soubory,instalace kabelů

Osnovy cvičení:
1. Organizační záležitosti, úvod do problematiky
2. Výklad prvního bloku laboratorních úloh s ukázkami
3. Měření teplotní závislosti závěrných a propustných charakteristik tyristorů a diod
4. Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod
5. Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT
6. Měření spínacích parametrů a ovlivnění typem zátěže
7. Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů
8. Spojování silových kabelů
9. Měření izolačních vlastností kabelů
10. Kontrola elektrické odolnosti vysokonapěťových kabelů
11. Ukončování silových kabelů
12. Vlastnosti nízkofrekvenčních metalických kabelů
13. Vlastnosti optických kabelů
14. Exkurze v kabelovně. Zápočet

Literatura Č:
1. Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001
2. Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999
3. Baliga, J. Power Semiconductor Devices. Boston: PWS Publishing Company.1995

Literatura A:
1. Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices.
Chichester: J.Wiley & Sons. 1999
2. Baliga, J. Power Semiconductor Devices. Boston: PWS Publishing
Company.1995

Požadavky:
Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14+6
Typ cvičení: s, l
Předmět je nabízen také v anglické verzi.

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
BSE Silnoproudá elektrotechnika Z 4


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)