Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
X34AVS Aplikace výkonových polovodičových součástek Rozsah výuky:2+2
Přednášející (garant):Jirásek L. Typ předmětu:S Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:334 Kreditů:4 Semestr:Z

Anotace:
Statické a dynamické procesy ve výkonových součástkách v propustném, blokovacím a závěrném režimu. Výkonové diody, bipolární tranzistory, tyristory, polem řízené výkonové součástky, rychlé a vysokonapěťové součástky, výkonové IO - charakteristiky, vlastnosti a užití. Pouzdření. Životnost a spolehlivost. Zatěžování a přetěžování. Ochranné obvody. Principy aplikací, základní řídicí a uživatelské obvody. Chlazení součástek. Návrh chladičů. Práce s katalogovými údaji.

Osnovy přednášek:
1. Typy výkonových polovodičových součástek, dosažitelné parametry, přehled užití
2. Transport nosičů náboje a průrazné napětí ve výkonových polovodičových souč.
3. Funkce zákl.stavebních struktur výkonových polov.součástek, důsledky pro užití
4. Výkonová dioda, typy, struktura, vlastnosti, obvodové aplikace
5. Výkonový bipolární tranzistor, typy, vlastnosti, aplikace
6. Tyristory, speciální typy, struktury, vlastnosti, užití
7. GTO. Struktura, vlastnosti, důsledky pro řídící obvody
8. Polem řízené součástky. Výhody a nevýhody. Možnosti užití
9. Specifická aplikační pravidla pro užití polem řízených výkonových polovodičových součástek.
10. Nové typy součástek: s heteropřechody, PIC, SMART PIC. Aplikace
11. Pouzdření. Životnost a spolehlivost výkonových součástek
12. Zatěžování a přetěžování součástek. Důsledky pro návrháře obvodů
13. Chlazení součástek. Návrh chladičů. Práce s katalogovými údaji
14. Ochranné obvody součástek v různých aplikací

Osnovy cvičení:
1. Základní vlastnosti polovodičů důležité pro výkonové součástky
2. Základní vlastnosti výkonových polovodičových struktur
3. Výpočet průrazného napětí kolektorového přechodu tranzistoru
4. Simulace jednoduchých struktur na počítači 5. Měření parametru dUD/dt tyristorů
6. Měření na GTO
7. Měření vlastností triaků
8. Práce s tranzistory IGBT
9. Měření parametrů HEXFETů
10. Měření obvodů řízení a ovládání motorů pomocí HEXFETů
11. Měření řídícího obvodu pro ovládání výkonu v zátěži pomocí tyristoru
12. Výpočty přetěžování součástek
13. Návrh jednoduchého chladiče
14. Měření teplotních poměrů na chladiči

Literatura Č:
1. Jirásek, L.: Aplikace výkonových polovodičových součástek. Skriptum ČVUT FEL 1998
2. Baliga, B. J.: Modern Power Devices. Wiley, New York 1985.
3. Ghandi, S. K.: Semiconductor Power Devices. Wiley, New York 1981

Literatura A:
1. Baliga, B. J.: Modern Power Devices. Wiley, New York 1985.
2. Ghandi, S. K.: Semiconductor Power Devices. Wiley, New York 1981.

Požadavky:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14+4
Typ cvičení: s, l, c
Předmět je nabízen také v anglické verzi.

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
MEL01 Elektronika S 3
MEL02 Elektronika S 3
MEL03 Elektronika S 3


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)